superlattice相关论文
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用,在经典力学框架内和小振幅近似下,利用正弦平方势,把粒子运动方程化为......
利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer, 10 ML)/GaSb(10 ......
在经典力学框架内和小振幅近似下,引入正弦平方势,把粒子的运动方程化为广义Duffing方程。在二次非线性情况下,把Duffing方程化为外尔......
在经典力学框架内和Seeger方程基础上, 引入正弦平方势,把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程。导出了弯结的形成能、弯结宽度、密......
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0 eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(......
Since the lasers at fixed wavelengths are unable to meet the requirements of the development of mod science and technolo......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
A facile green strategy,low temperature in-situ chemical conversion,is reported to prepare nanocrystals with initiative ......
The effects of trace Ce and B additions on the microstructure Nb-22Ti-3Si alloys were studied.The microstructure of the ......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
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A systematic investigation of the strain distribution of self-organized, lens-shaped quantum dot in the case of growth d......
报道了320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序......
The valence band offsets of the strained and longitudinally relaxed diamond/cubic boron-nitride (c-BN) (110)superlattice......
A new algorithm for the calculation of the electron state of superlattice was proposed. From the electron wave point of ......
Nonequilibrium molecular dynamics simulations were carried out to investigate heat transfer in superlattice nanowires. R......
The microstructure of Ni-based self-fluxing alloy thermal sprayed coating was investigated by microanal ysis methods.The......
The theoretical description of soliton solutions and exact analytical solutions in the sine-Gordon equation is extended ......
本文简要论述了半导体超晶格的分类,结构特性,能带结构与应变超晶格,以及它们的发展与应用。......
目的 研究一种流行的超晶格赝势计算方法的可靠性。方法 用群论理论对该赝势计算方法给出的能带作剖析。结果 发现这种算法将导......
以MnO2和LiOH·H2O为原料,采用固相法分别在750和900℃温度下焙烧得到Li2MnO3正极材料,并研究Li2MnO3正极材料晶体缺陷结构和......
对InGaAsP/InGaAs组成的超晶格,基底为InP的固体微制冷器进行了初步研究,发现热电和热电子转换同时存在于超晶格微制冷器中。提出了简......
构造了均匀、梯度、随机3种不同周期分布的硅/锗(Si/Ge)超晶格结构.采用非平衡分子动力学(NEMD)方法模拟了硅/锗超晶格在3种不同周......
研究了W/Mo纳米多层膜的微结构及超硬效应.W/Mo纳米多层膜采用磁控溅射技术制备,并采用XRD、TEM和显微硬度计研究了薄膜的微结构和......
采用非平衡态分子动力学方法模拟了超晶格的法向导热系数随周期长度的变化关系.模拟结果表明,在晶格匹配的超晶格中,当周期长度同声子......
在T=77 K,测量出掺杂(Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223 cm-1和422 cm-1的两个光散射峰.理论分析认为,......
鉴于“方形”势阱描述量子阱中的空穴运动行为过于简单、理想,引入了反比相关的双曲余弦平方势,并在量子力学框架内,利用这个相互作用......
电子在组分超晶格中的运动问题等效于电子在一维方形势阱中的运动问题。由于电子所经受的相互作用势是一维周期势,情况与K-P模型类......
引入正切平方势描述了量子阱中的空穴运动行为。在量子力学框架内,把空穴的Schrodinger方程化为超几何方程,用系统参数和超几何函数......
利用半经典理论得出了超晶格中电子漂移速度与外加双频交流电场的电场幅值和电场频率的关系,并且利用数值方法,计算了在相差和频率......
提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法.采用分子束外延生长GaAs/InAs短周期超晶格作覆盖层,可以拓展量子点发光波长至1.3μm~1.5μm......
在计算超晶格的透射系数时,根据势阱与势垒界面的连续性条件,将界面两侧的波函数展开为一个以矩阵方程描述的线性方程组,利用MATLA......
用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗/硅短周期超晶格(SPS)样品进行了分析.所有样品的锗层厚度固定为1.5单原子层,而硅......
用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙......
采用转移矩阵方法,研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题.计算了一维有限超晶格含单个缺陷层或少量缺陷层的透射谱和波函数,以......
辐射强度与量子阱沟道的接受度有关,而接受度的大小则直接取决于量子阱宽度、深度以及电子束流的品质等因素。电子束可以用离子注入......
鉴于“方形”势阱描述量子阱中的电子运动行为过于简单、过于理想,引入了正切平方势来代替,使结果得到了改善。在量子力学框架内,利用......
观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL......
通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×10^14cm^-2和2.0×1015cm^-2的Ce......
利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO/SiO2超晶格,热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通......
在Zn1-xMgxO中,x=0.4 ~0.6仍为一个岩盐矿和纤锌矿共存的结构,影响了其晶格质量.本文利用等离子体辅助的分子束外延设备在c面蓝宝石......
采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。......
对双层亚铁磁超晶格的能谱进行理论研究.采用海森堡模型,利用线性自旋波近似、傅立叶变换和格林函数技术计算出色散关系和外磁场的......
结合宏观和微观模型, 对GaAs/AlAs弱耦合掺杂超晶格的纵向输运问题进行模拟计算, 并给出产生电流自激振荡时的掺杂浓度和固定偏压......
结合宏观和微观模型,分别模拟计算有效漂移速度V(f)线形对GaAs/AlAs掺杂弱耦合窄垒和宽垒超晶格纵向输运的影响.U-I关系的第一平台的......
量子阱红外探测器受到温度、压强等多种因素的影响,本文主要从温度方面进行了研究。在文献[2]的基础上,进一步推导了超晶格中热应......
在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认.理论计算和......
考虑到真实超晶格系统的有限宽度会造成晶格的非周期性,我们修正了用来决定拉曼频移峰值位置的公式中的倒格矢一项.在线性驰豫应变......
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格.利用高能电子......